一、型号：Helios G4 UC

二、制造商：Thermo Fisher Scientific

三、技术指标

1、在最佳工作距离的分辨率：

    ≤0.6 nm @ 15 kV（二次电子成像分辨率）

     ≤0.7 nm @ 1 kV（二次电子成像分辨率）

  在双束交叉点的分辨率：

    ≤0.6 nm @ 15 kV（二次电子成像分辨率）

    ≤1.2 nm @ 1 kV（二次电子成像分辨率）

2、电子束着陆电压：20 V ～ 30 kV；

3、离子束加速电压：500 V ～ 30 kV；

4、离子束束流强度：0.1 pA ～ 60 nA；     

5、离子束分辨率：2.5 nm @ 30 kV（使用选边平均值法测量）≤4.0 nm @ 30 kV（利用多变平均法测量）

四、配置情况

1、 沉积及刻蚀辅助材料： Pt、Au、W等；

2、 配备有纳米机械操纵系统；

3、 配备电子束曝光系统；

4、 配备拉曼光谱仪、EDS能谱仪；

五、主要功能

1、 二次电子、背散射电子以及镓离子成像；

2、 三维重构和数据分析；

3、 TEM样品的制备；

4、 半导体元器件、集成电路的修补和失效分析；

5、 EDS能谱分析（点、线、面）。

六、应用范围

用于半导体、材料、生物学、物理学、化学化工、地质学、等领域。